Silikoni me shkumë antistatike është një lloj materiali funksional me elasticitet dhe veti përcjellëse/antistatike, i cili bazohet në efektin sinergjik të përbërjes së materialit dhe strukturës poroze.
Performanca anti-{0}}statike arrihet kryesisht duke inkorporuar mbushës përçues në gomën e përbërë. Këta mbushës përfshijnë materiale përçuese në matricën e silikonit, zakonisht materiale me bazë karboni-, pluhur metali dhe surfaktantë. Materialet me bazë karboni- si karboni i zi, nanotubat e karbonit dhe grafeni, së bashku me pluhurat metalikë si argjendi dhe nikeli (megjithëse ky i fundit është më i shtrenjtë). Surfaktantët janë zakonisht aditivë jonikë që formojnë rrugë përcjellëse duke thithur lagështinë. Këta mbushës krijojnë një rrjet përçues, duke mundësuar që silikoni izolues fillimisht të përçojë elektricitetin. Rruga e shpërndarjes së ngarkesës Kur ngarkesat statike krijohen nga fërkimi sipërfaqësor, rrjeti përçues i shpërndan me shpejtësi ngarkesat në mënyrë uniforme, duke parandaluar akumulimin e lokalizuar. Rezistenca e sipërfaqes zakonisht kontrollohet nga 10^6 deri në 10^10 Ω, gjë që parandalon në mënyrë efektive shkarkimin elektrostatik (ESD) pa shkaktuar qarqe të shkurtra për shkak të përçueshmërisë së tepërt.
Së dyti, struktura e shkumës shfaq efekte përforcuese sinergjike. Arkitektura mikro-poroze e xhelit të silikonit të shkumëzuar optimizon më tej performancën anti-statike: rrit sipërfaqen dhe fleksibilitetin, ndërsa struktura celulare e bën materialin më të lehtë dhe më fleksibël, duke lehtësuar ngjitjen në sipërfaqe të parregullta (p.sh. paketimi i komponentëve elektronikë). Sipërfaqja poroze redukton zonën e kontaktit të fërkimit, duke minimizuar kështu prodhimin e energjisë elektrike statike në burim. Optimizimi topologjik i rrjetit përçues: Gjatë shkumëzimit, mbushësit përçues priren të grumbullohen në muret e qelizave, duke formuar një strukturë rrjeti 3D që rrit efikasitetin e shpërndarjes së ngarkesës. Struktura qelizore gjithashtu thith lagështinë gjurmë, duke lehtësuar efektivitetin e agjentëve antistatikë jonikë.